安森美推出全新6款N沟道MOSFET

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推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它们经过设计及优化,提供领先业界能效,优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOS-FET极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件,或者用于配合负载点(POL)模块中的同步整流。这些器件提供包含及不包含集成一个肖特基二极管的不同版本,能帮助工程师提供更高能效。 ON Semiconductor, a leader in energy-efficient innovation, introduces a new line of six N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) that are engineered and optimized to provide industry-leading energy efficiency over existing devices in the market. The NTMFS4Hxxx and NTTFS4Hxxx families of MOS-FETs are well-suited for use as switching devices in a wide range of applications including servers, networking equipment and high-power-density DC-DC converters or with synchronous rectification in point-of-load modules. These devices offer different versions with and without an integrated Schottky diode to help engineers deliver greater energy efficiency.
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