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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明，OZn、Oi和VZn以受主的形式存在；Zn0和Zn1以施主的形式存在。其中，Zni的形成能最小，因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者的实验结果相吻合。