【摘 要】
：
利用p-偏振双面反射法、原子力显微术及激光损伤实验,对经不同化学清洗的K9平板玻璃基片表面的光学特性进行了综合表征.实验结果表明,经酸洗的玻璃表面,其消光系数明显减小,而光洁度和激光损伤阈值明显提高;通过进一步的碱洗,玻璃表面的光学性能仍可得到一定的改善.另外,随玻璃基片清洗程序的不断深入,p-偏振双面反射法测得的玻璃表面层光学参量的变化趋势,与观测的表面粗糙度及激光损伤阈值的变化趋势一致.
【机 构】
：
上海理工大学理学院凝聚态物理研究所,上海200093中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800
论文部分内容阅读
利用p-偏振双面反射法、原子力显微术及激光损伤实验,对经不同化学清洗的K9平板玻璃基片表面的光学特性进行了综合表征.实验结果表明,经酸洗的玻璃表面,其消光系数明显减小,而光洁度和激光损伤阈值明显提高;通过进一步的碱洗,玻璃表面的光学性能仍可得到一定的改善.另外,随玻璃基片清洗程序的不断深入,p-偏振双面反射法测得的玻璃表面层光学参量的变化趋势,与观测的表面粗糙度及激光损伤阈值的变化趋势一致.
其他文献
采用基于多级级联的非线性展宽和偏移滤波的Mamyshev腔,提出了同步光谱可重叠多波长光纤激光器,该单腔环形结构解决了传统多波长激光器中增益竞争和同步输出困难的问题。通过数值仿真,实现了中心波长分别为1035,1040,1045,1050 nm的四波长脉冲的输出,每个波长的脉冲光谱宽度均为7 nm(大于相邻中心波长的间隔),峰值功率(在外部线性压缩之前)为0.9~1.0 kW,脉冲宽度约为0.28 ps。通过优化滤波器,讨论了对应的多波长输出,并分析了波长排列顺序对传输函数以及系统效率的影响。
A hand vein authentication system in which the identity of an individual can be readily confirmed upon gripping a handle is proposed. This recognition method incorporates infrared light-emitting diode (LED) onto a door handle and sets a charge-coupled dev
A high packing density laser diode stack array is developed utilizing Al-free active region laser bars with a broad waveguide and discrete copper microchannel-cooled heatsinks. The microchannel cooling technology leads to a 10-bar laser diode stack array
光学并行高速缓冲存储列阵和随机暂存列阵,是数字光学处理机中的重要部件。本文提出了一种简单的光学并行高速缓冲存储列阵系统,并在实验中完成了光信号列阵的随机存、取全过程。
We have theoretically investigated the guiding mode patterns of hollow nanowires. Two types of nanowires, round shape and hexagonal shape, are examined with different combination of outer and inner radii. Because of electric field discontinuity at hollow
HoloCam系统是著名多国多学科计划HoloMar(由MASTⅢ发起,欧洲委员会资助)中的主要项目.该计划与发展脉冲激光全息技术有关,目的是用该技术来分析、监测全球海洋生物和无机粒子的数量及其分布.本文介绍水下照相机样机的研制、结构以及对其评估.该样机主要用来拍摄处在自然状态下的海洋生物与粒子.同常规取样法相比,全息法拍摄的优点是:能对大体积(可达105cm3)的海水进行非介入式、非破坏性的拍摄,获得高分辨率的三维图像.该相机集同轴和离轴全息技术于一体,能捕获从几微米到几十厘米大小的粒子.在研制全息照相
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN, 并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量, 本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构, 并得到了各向异性更小, 晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明, 两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向(c轴)的原子迁移, 有利于劣势方
为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能, 将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比, 使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值, 得到SiC器件的总热阻约为3.0 ℃·W-1, AlN的约为3.4 ℃·W-1, SiC器件的实测热阻值比AlN器件低14.7%, 实验结果表明SiC过渡热沉具有较好的散热性能。实验进一步测试了两种过渡热沉封装器件的输出性能, 在16 A连续电流注入时, 915 nm波段的SiC器件单管输出功率为15.9 W, A