【摘 要】
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采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ对和厚膜混合集成技术，设计、制作了一种运算放大器，并在３５０℃下进行了测试。在２５～３５０℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试，放大器的增益大于６０ｄＢ，共模抑制比大于５５ｄＢ，在整个温度范围内偏
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采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ对和厚膜混合集成技术，设计、制作了一种运算放大器，并在３５０℃下进行了测试。在２５～３５０℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试，放大器的增益大于６０ｄＢ，共模抑制比大于５５ｄＢ，在整个温度范围内偏移电压从１３９ｍＶ变化到１５９ｍＶ。这些结果证明了采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ和厚膜混合集成技术实现高温电路设计和组装的可行性。
Using SiCMESFET pair and thick film hybrid integration technology, an op-amp was designed and fabricated and tested at 350 ° C. The amplifier was successfully tested in the temperature range of 25-350 ° C. The gain of the amplifier was greater than 60dB and the common mode rejection ratio was greater than 55dB. The offset voltage varied from 139mV to 159mV over the entire temperature range. These results demonstrate the feasibility of high temperature circuit design and assembly using SiCMESFETs and thick film hybrid integration.
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