【摘 要】
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一、引 言在无油超高真空中,用钯激活P型重掺杂的磷化镓(GaP)晶体,形成的负电子亲和势发射体GaP:Cs是一种优良的次级电子发射体它的次级电子发射系数高,而且随一次电子能量的
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所,中国科学院西安光学精密机械研究所
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一、引 言在无油超高真空中,用钯激活P型重掺杂的磷化镓(GaP)晶体,形成的负电子亲和势发射体GaP:Cs是一种优良的次级电子发射体它的次级电子发射系数高,而且随一次电子能量的增加而上升.当一次电子能量为600eV时,多晶CaP:Cs的次级电子发射系数已达30,国外报道是20—50.普通合金
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