【摘 要】
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<正>氮化镓(GaN)是微波功率晶体管的优良材料,与碳化硅(SiC)、金刚石等半导体材料一起,被誉为第三代半导体材料,对其材料与应用的研究是目前全球半导体研究的前沿和热点。由
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<正>氮化镓(GaN)是微波功率晶体管的优良材料,与碳化硅(SiC)、金刚石等半导体材料一起,被誉为第三代半导体材料,对其材料与应用的研究是目前全球半导体研究的前沿和热点。由于氮化镓材料具有低的热产生率和高的击穿电场,因此,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。现在,用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大变革,特别是功率放大器(PA)市场。在2016年的电子设计创新大会上,MACOM公司无线产品中心资深总监成钢先生表示:"横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来
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