【摘 要】
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Soitec公司Picogiga International分公司推出在Si衬底上MBE生长的AlGaN/GaN外延层。目前,大多数AlGaN/GaN HEMT是以蓝宝石或SiC为衬底的,其缺点是热导率小,成本高,且不可能
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Soitec公司Picogiga International分公司推出在Si衬底上MBE生长的AlGaN/GaN外延层。目前,大多数AlGaN/GaN HEMT是以蓝宝石或SiC为衬底的,其缺点是热导率小,成本高,且不可能获得大尺寸晶片。将GaN的性能优热与大面积Si的成本优势相结合将
Picogiga International, a division of Soitec, has introduced MBE-grown AlGaN / GaN epitaxial layers on Si substrates. Currently, most AlGaN / GaN HEMTs are sapphire or SiC-based, with the disadvantages of low thermal conductivity, high cost, and the inability to obtain large-size wafers. Combining the performance advantages of GaN with the cost advantages of large-area Si will be
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