【摘 要】
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Cree Inc 研制成型号为 CRF—22010是碳化硅(SiC)功率金属半导体场效应晶体管(MESFET),并可用于 A 类和 AB 类放大器。这种器件在3GHz 下,最小输出功率为10W(1dB 压缩),在2G
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Cree Inc 研制成型号为 CRF—22010是碳化硅(SiC)功率金属半导体场效应晶体管(MESFET),并可用于 A 类和 AB 类放大器。这种器件在3GHz 下,最小输出功率为10W(1dB 压缩),在2GHz 下,典型输出功率为12W,典型漏效率45%,典型增益,为12dB。用于+48～VDC 系统的晶体管采用金属陶瓷平坦型管壳或者凹型管壳。
Cree Inc developed model number CRF-22010, a silicon carbide (SiC) power metal-semiconductor field-effect transistor (MESFET), and is available in Class A and Class AB amplifiers. The device delivers 10W (1dB compression) at 3GHz with a typical output power of 12W at 2GHz and a typical leakage efficiency of 45% with a typical gain of 12dB. Transistors for +48 VDC systems use cermet flat or concave tubes.
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