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利用脉冲激光源及脉冲X射线源，开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验，测量了CMOS电路瞬时剂量率效应，并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明，对于CM OS电路，特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器，而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。