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研制了基于薄膜体声波技术的S波段低插损带通滤波器。该滤波器芯片典型测试性能为,相对带宽1.3%,插损优于2 dB、回波损耗优于-12 dB、带外抑制40 dB、温漂系数-11×10-6/℃。该滤波器芯片采用薄膜体声波谐振器（FBAR）作为基本构成单元,使用AlN压电材料、空气腔作为底部声反射结构,机电耦合特性优良、声学损耗小。使用该FBAR滤波器芯片可构成多通道滤波器组,从而极大地缩小滤波器组的体积。