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提出了一种新的薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ（降低表面电场）结构，称为多漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构。以双漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构为例给出了基于二维Ｐ ｏｉｓｓｏｎ方程的角析物理模型。利用这一模型分析了电势和电场分布，以及场ＳｉＯ２界面电荷密度的影响，计算结果与ＭＥＤＩＣＩ模拟结果相符。