HfO2基铁电薄膜在循环电场载荷下的极化翻转行为

来源 :湘潭大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haoliangli

【摘要】

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二氧化铪(HfO2)铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性,10 nm以下工艺制程的微缩能力,可采用原子层沉积(ALD)技术实现在3D电容器结构中的保型生长,因此在实现低功耗、高集成密度

【作者】

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李帅东周大雨徐进石志鑫 Uwe Schr der

【机构】

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大连理工大学材料科学与工程学院,大连东软信息学院,NaMLab研究所

【出处】

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湘潭大学学报:自然科学版

【发表日期】

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2019年5期

【关键词】

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铁电薄膜二氧化铪极化翻转 wake-up效应疲劳 split-up效应 ferroelectric thin filmshafnium oxidepola

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(NSFC51672032,51972037)

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二氧化铪(HfO2)铁电薄膜具有优秀的CMOS工艺兼容性,10 nm以下工艺制程的微缩能力,可采用原子层沉积(ALD)技术实现在3D电容器结构中的保型生长,因此在实现低功耗、高集成密度的非易失性存储器应用方面显示出巨大的潜力.该文首先简要回顾了HfO2基铁电薄膜的发现过程和随后的国内外研究现状,然后以Si掺杂HfO2铁电薄膜在循环电场载荷下的实测结果为例,介绍了这一新型铁电材料极化翻转行为中出现的唤醒(wake-up)、疲劳和饱和极化翻转电流峰劈裂等效应,分别总结了对上述现象现有的实验和理论研究进展.

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