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采用水热法在掺氟的 SnO2透明导电玻璃（FTO）基底上制备了金红石型的TiO2纳米棒阵列；然后采用电化学方法在 TiO2纳米棒阵列上沉积不同厚度的CdSx Se1－x纳米晶，形成了CdSx Se1－x纳米晶包覆TiO2纳米棒的 CdSx Se1－x/TiO2壳核结构；利用扫描电镜（SEM）、能谱分析（EDS）、X射线衍射（XRD）、紫外-可见漫反射吸收光谱（UV-Vis DRS）等对其形貌、结构组成等进行了分析和表征，结合循环伏安法及其吸收光谱确定了CdSx Se1－x纳米晶的能级位置.最后以P3 HT