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研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As／GaAs应变量子阱的PL谱，结果表明，生长温度越高，In偏析和In-Ga互混越严重，同时，导致更多的In脱附，PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs／GaAs量子阱进行PL谱测试，分析表明In含量〈0．2，生长温度低于560℃时，In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响。