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该论文通过传统的固相反应制备了具有钙钛矿结构的稀土掺杂锰氧化物La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>(LSMO)块材,并通过磁控溅射方法在LaAlO<,3>衬底上生长了50nm单晶薄膜.发现块材样品随掺杂量x增加,晶体结构由低对称向高对称性转变.通过掺杂Pr元素可以引起晶格较大畸变.研究La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>薄膜的电阻-温度特性,发现随掺杂量x增加,体系的峰值电阻温度T<,p>升高.制备了T<,p>高达420K的La<,0.5>Sr<,0.5>MnO<,3>薄膜,在国内外还未见相关报道.研究此系列体系的导电特性,表明体系在低温(T<)是金属导电行为,在高温(T>T<,p>)有明显的半导体特性.通过研究该系列薄膜光诱导效应和磁场下输运行为,发现其输运性质明显改变.认为这是外场改变体系自旋系统极化输运的结果.