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功能氧化物由于其广泛的性质:铁磁性,铁电性,压电性,热电性,超导性和非线性光学效应而引起了相当大的研究关注。III-V族半导体衬底由于其良好的光电子和高移动性的传输性质而具有特殊应用意义。将功能氧化物集成在III-V半导体衬底上是当下研究热点,高载流子迁移率的STO/GaAs界面是其中典型的代表。铝酸镧(La Al O_3)与钛酸锶(Sr TiO_3)同属于钙钛矿型氧化物,晶格大小非常接近。基于铝酸镧与钛酸锶的晶格关系,本文围绕铝酸镧/砷化镓(LAO/GaAs)异质界面的电学性能研究展开,主要完成了