随着纳米技术,纳米制造工艺,微机电系统的飞速发展,传统传热学理论遭遇了极大的挑战。微/纳米尺度下物体的热辐射性质与宏观尺度下的有着极大的差别。传统的辐射理论已经不能解释微/纳米尺度下的诸多现象,如光子隧道效应等等。因此,近场热辐射作为一个新兴的课题,得到了极大的关注。本文从麦克斯韦方程组和波动耗散理论出发,采用电磁理论描述物体内部偶极子随机热扰动辐射出的波动电磁场,并介绍了倏逝波和表面极化激元以及其对近场热辐射的贡献,然后通过求解并矢格林函数得到计算半无限大平板和薄膜间热流辐射密度的公式。接着计算了钨和硅平板间的近场辐射换热。这两种材料都是非常普遍和有代表性的。本文探讨了距离、偏振波、温度、掺杂浓度对于辐射热流密度分布的影响。当硅的掺杂浓度上升时,近场辐射热流密度中出现了一个新的峰值。这个位于低角频率的峰值是由表面等离子激元(SPPs)引起的,峰值的值达到了高角频率下峰值的数量级。其性质随后得到了讨论。最后探讨了通过薄膜来调节近场辐射热流密度分布的可能。结果揭示了薄膜的厚度极大地影响着热流密度的分布。钨为薄膜和硅为薄膜时对计算结果的影响各不相同。进一步的,基于实际应用的考虑,研究了在硅的底部加入了一个金属基底时的情况。这个基底可用来支撑硅,或是作为一个热管理系统调节硅的温度。计算结果对进一步的研究具有指导意义。