半导体一维纳米材料由于存在着显著的量子效应、尺寸效应、表面效应、特殊的电子传导效应等,因此它们的制备及物理和化学性质引起了人们的广泛关注。ZnO是一种宽带隙的半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,具有优良的物理和化学性质。因此一维ZnO纳米材料的研究成为目前半导体一维纳米材料研究领域的热点。本文主要围绕本文针对ZnO研究领域的热点问题,利用水热技术进行了ZnO一维纳米结构的制备,p型ZnO一维纳米结构掺杂,并在此基础上进行了ZnO同质结的制备及光电性质研究。具体研究内容如下:（1）利用水热技术制备了高质量ZnO一维纳米结构,并通过SEM,XRD对其结构进行表征,通过PL测试表明其具有良好的光学性质（2）首次利用水热技术及后退火工艺制备P掺杂p型ZnO一维纳米结构。测试结果表明磷进入ZnO晶格后以P_Zn-2V_Zn的复合受主形式存在,并在低温PL谱中观测到了来自于受主(P_Zn-2V_Zn)的FA（3.316eV）及DAP（3.241eV）发光。（3）在p型ZnO工作的基础上,首次通过表面修饰的方式制备了ZnO纳米线核壳结构同质p-n结型二极管器件,并在350K观测到了蓝紫色电致发光。