随着电子科学技术的发展,各种电子设备的电路尺寸越来越小,集成化程度越来越高,这就要求制作电路的核心材料---半导体材料的各种电气性能稳定。为了保证材料的性能符合要求,监测是必不可少的手段。稳定性对测量数据准确与否起着非常重要的作用,本论文正是出于此目的,对用四探针法测量硅片的微区薄层电阻率的稳定性进行了较深刻的研究。本文开展了以下研究工作。讨论了微区电阻测试的重要性,综述如今已研究出来的各种测试方法的特点;详细分析了四探针测试技术的基本原理,重点讨论常规直线四探针法、改进范德堡法和改进Rymaszewski四探针测试方法;研究四探针测试技术中的影响测量精度的各种因素;分析了探针游移对方形四探针测量的影响;分析了测量过程常见的干扰因素并提出相应的解决办法;对方形探针测试仪进行改进。本论文的主要创新点:1.系统的分析了四探针测量过程中影响因素。2.推导出探针游移对方形四探针法的影响公式。3.对现有的方形探针测试仪提出改进方案。