自从石墨烯被首次制备以来,二维材料领域成了科学界和产业界的研究焦点。与体材料不同,二维材料在电学、力学、光学等多个方面都表现出优越的性能。除石墨烯之外,基于过渡金属、碳族元素、硫族元素的二维材料也相继被开发出来并表现出优异的性能。其中,过渡金属硫族化合物(TMDs)在近年来凭借其优越的性能引起了学者们广泛的关注。与石墨烯的零带隙结构有所不同,TMDs体材料具有间接带隙,而当厚度减小至单层时,间接带隙转变为直接带隙,具有良好的半导体性能。二硫化钨是TMDs家族中的一员,凭借其良好的电学性能,在研究中,它被用来制备高性能的晶体管,作为析氢反应的催化剂,以及与二硫化钼材料形成性能良好的异质结。在二维材料的研究中,对其制备方法的研究十分重要。近几年来,对二维材料的制备方法的研究成为了研究的焦点,例如机械剥离法等,但这些方法都具有各自的优缺点。机械剥离法和液相剥离法虽然制备成本比较低,但是所得到的样品尺寸和厚度均不可控,对衬底的选择范围也比较有限,经常需要经过转移步骤才能应用到器件中;化学气相沉积法制得的样品虽然尺寸较大,质量较好,但是在制备过程中通常需要高温、真空的环境,制备成本较高,耗时较长,因此,如何通过高效率、低成本的方式得到大面积的二维材料始终是一个重要的研究课题。在本论文研究中,我们通过溶液喷涂沉积法制备二维材料。通过雾化器将溶液雾化成雾状小颗粒,在载气流的作用下到达衬底表面形成液膜,在合适的温度和湿度环境下干燥,在衬底上形成一层二维材料薄膜。我们从衬底前期处理、溶液浓度、单次喷涂时长、间隔时间等多个方面探讨沉积过程的影响因素,并通过喷涂时间的控制实现对二维材料薄膜厚度的控制。在二硫化钨的喷涂过程中,我们采用Piranha溶液和氧等离子体轰击对衬底表面作前期亲水性处理,选用的溶液浓度为2mg/ml,将单次喷涂时长设置为5s,间隔时间为5分钟,并对样品的物化特性和表面形貌进行表征,所得样品的均一性和平整性较好,薄膜的厚度起伏保持在20 nm之内。通过溶液喷涂沉积法得到的样品具有尺寸较大、厚度可控、衬底选择范围较大的特点,同时制备成本较低,耗时较短。在论文研究中,我们对溶液喷涂沉积法的工艺进行了研究,并应用所得薄膜样品进行初步的器件制备,并进行电学性能测试。