钙钛矿锰氧化物La_0.7Sr_0.3MnO₃具有优异的电磁性能特别是独特的庞磁电阻效应,应用前景广阔,稀土元素掺杂是改善其性能、实现实际应用的有效途径,而衬底取向及其与薄膜的失配度,也会在一定程度上对薄膜的择优生长和晶格畸变产生作用,进而影响使用性能。为此,本文采用脉冲激光沉积技术制备Ho³⁺掺杂的La_0.7Sr_0.3MnO₃(La_0.7-xHo_xSr_0.3MnO₃,x=0,0.1,0.2,0.3,简称LHSMO)薄膜,通过控制Ho³⁺掺杂量和衬底种类及取向实现对其结构和电磁性能的调控,以进一步增强薄膜的庞磁电阻效应,实现其在磁传感器、自旋电子器件以及磁存储器中的应用。本文采用脉冲激光沉积技术在STO（001）衬底上制备LHSMO薄膜,探究了沉积工艺对薄膜物相结构和表面形貌的影响。结果表明,LHSMO薄膜沿c轴方向择优生长,而升高沉积温度、增大激光能量密度和氧分压,均可在一定程度上提高薄膜结晶性并改善其表面形貌。确定了LHSMO薄膜的适宜沉积工艺为:激光能量密度2.5 J/cm²,沉积温度650°C,氧分压20 Pa。在此基础上,利用脉冲激光沉积技术分别制备出物相单一、结晶良好、表面平整、不同组分的LHSMO外延薄膜,研究了Ho³⁺掺杂量对其结构、电磁性能和CMR效应的影响。结果表明,Ho³⁺掺杂会引入晶格畸变和磁无序,导致薄膜的居里温度和饱和磁化强度降低,而矫顽场和电阻率峰值升高。拟合结果表明,在低温区LHSMO薄膜的电阻率（ρ）随温度（T）的变化规律为=++..+,而高温区则符合绝热小极化子模型,且激活能随Ho³⁺掺杂量的增加而增大。此外,随着Ho³⁺掺杂量的增加,磁电阻峰值从16.9%增大到68.8%,说明稀土Ho³⁺掺杂是增强薄膜CMR效应的有效途径。分别在不同晶格失配度的STO、LAO和MgO衬底上制备LHSMO薄膜,研究了衬底种类对薄膜结构和电磁性能的影响。结果表明,LHSMO薄膜在STO、MgO衬底上分别受到0.18%、0.46%的面内拉应变,在LAO衬底上受到-0.64%的面内压应变,而应变类型和大小对薄膜性能均有较大影响。从STO衬底到MgO衬底,薄膜的应变增大,导致居里温度从178K下降到117K,而矫顽场和电阻率峰值增大;LAO衬底上生长的薄膜的应变最大,具有最大的饱和磁化强度和磁电阻峰值（71.1%）,但因受到压应变其居里温度并不是最低。在不同取向的STO（001）、（110）和（111）衬底上制备LHSMO薄膜,研究了衬底取向对薄膜结构和电磁性能的影响。结果表明,从（001）取向到（111）取向,LHSMO薄膜受到的面内拉应变从0.18%增大到0.36%,居里温度从178 K降低到133 K,饱和磁化强度从281 emu/cm³降低到213 emu/cm³,而矫顽场和电阻率峰值增大。在（001）、（110）和（111）取向的衬底上,LHSMO薄膜的磁电阻最大值分别为68.8%、74.2%和90.4%。这说明,通过改变衬底种类和取向调整薄膜的择优生长和晶格畸变,可以进一步提升薄膜的CMR效应。