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人们对低速高电荷态离子(Slow Highly Charged Ion)与固体靶相互作用这一课题在近二十年里进行了很多研究，如离子中性化过程，X-射线，俄歇电子发射，电子溅射，表面原子溅射等。在实验和理论上都得到了很多有价值的结果。高电荷态离子具有很大的势能，它与固体表面碰撞时有可能溅射出比自身数目大得多的原子。因而有可能在低动能入射，不损伤固体内部结构的情况下，在材料表面实现纳米蚀刻。所以高电荷态离子在固体靶表面引起靶原子溅射一直倍受关注。
我们在中国科学院近代物理研究所ECR源实验平台进行了高电荷态离子Ar(E<,k>=20-320keV，q=8，11，13，15，16)，pb(E<,k>=80-720keV，q=20，24，30，32，35，36)轰击洁净的Si，Cu，W固体靶实验。对靶材料采取一系列的化学，物理处理方式使其洁净。实验中，我们从不同的入射角度(15°-75°)测量了电中性和带正电溅射粒子的相对产额(99.9﹪为靶原子)。测量了以下入射离子在靶上的相对溅射产额：
(a)入射离子Ar，Ek=160keV,q=8，11，13，15，16(b)入射离子Ar<16+>，E<,k>=96，112，128，144，160，176，208，240，288，320keV(c)入射离子Ar<+>，E<,k>=20keV(d)入射离子pb，E<,k>=400keV，q=20，24，30，32，35，36(e)入射离子pb<36+>，Ek=216，252，288，324，360，432，504，576，648，720keV(f)入射离子pb<4+>，Ek=80keV实验结果表明：在上述实验条件下，(1)，Ar，pb轰击Si，Cu，W 靶，靶表面没有发生爆炸而导致原子溅射；其中Ar轰击Sj，Cu，W靶，没有明显的势能溅射效应。(2)，存在0.30V<,Bohr>，，一个入射离子速度共振区，该区域不依赖于靶的材料性质，但原子溅射产额明显增多；(3)，溅射产额明显地依赖于入射离子的核能损，核能损越大产额越多，其中Ar<16+>在Si靶表面引起溅射的产额与核能损成正比关系。