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基于二硫化钼多栅调控忆阻器件的制备及性能研究
【摘 要】
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面对全量数据以及人工智能时代庞大的数据处理需求,传统的冯·诺依曼计算架构中“存储墙”的瓶颈日益凸显,亟需新型计算架构及存储器件来满足数据处理的要求,而神经形态器件由于其集存储与计算于一体的特点成为当前研究的热点。而二维二硫化钼因为其优异的电学特性及良好的机械柔韧性等,在模拟神经突触和构建神经形态计算系统等方面展现出巨大的潜力。本文实现了大面积、高质量二硫化钼的可控制备,并构建了基于二硫化钼的忆阻器
【出 处】
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天津理工大学
【发表日期】
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2021年01期
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