【摘 要】
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该工作在较低气压条件下(0.5-10Torr),对Xe/I混合气体直流辉光放电和高频介质阻挡放电等离子体中XeI准分子形成过程进行较为详细的研究.通过对放电等离子体中荧光发射谱和电
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该工作在较低气压条件下(0.5-10Torr),对Xe/I<,2>混合气体直流辉光放电和高频介质阻挡放电等离子体中XeI准分子形成过程进行较为详细的研究.通过对放电等离子体中荧光发射谱和电子温度的分析得到了上述两种放电等离子体中XeI准分子的形成机理以及气压变化对准分子形成的影响.实验表明:在两种放电等离子体中主要形成B激发态的XeI准分子,然后XeI(B)向基态跃迁,即B<,1/2>→X<,1.2>跃迁,同时发射紫外荧光.此跃迁属于Bound-Free跃迁,谱线强度具有明显的波动结构,最大峰值出现在253nm附近.XeI准分子在两种放电等离子体中形成机理不同,直流辉光放电等离子体中主要形成通道为:激发态的Xe原子与基态的I<,2>相互作用形成激发态的XeI准分子,随气压变化效率最大值出现在2.5Torr左右;介质阻挡放电等离子体中主要形成通道为:离子态的Xe<+>与离子态的I<,2><->发生离子复合形成激发态的XeI准分子和I<*>,随气压变化效率最大值出现在4Torr左右.
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