本文运用金属氧化物沉积（磁控溅射）系统制备MgAl2O4（MA12）薄膜及掺F后的MA12（F-MA12）薄膜,分别验证了富氧条件下MA12薄膜呈绝缘特性、F-MA12薄膜呈P型半导体特性。首先,本文通过采用正交实验设计法,从溅射功率（100 W、200 W、300 W）、溅射气压（0.4 Pa、0.6 Pa、0.8 Pa）、氧氩比（5/45、10/40、15/35）、基板温度（常温、100℃、200℃）四种工艺因素出发,设计了四因素三水平的正交实验表,得出MA12薄膜的磁控溅射最佳工艺条件（100 W-0.6 Pa-15/35-100℃）。其次,为了验证MA12薄膜在富氧条件下呈绝缘特性,本文在该工艺条件（100 W-0.6 Pa-100℃）下制备了不同氧含量（30%、40%、50%）下的MA12薄膜,并进行不同温度（300℃、500℃、700℃、900℃）热处理。实验所用衬底材料为普通玻璃与P型（111）单晶硅片,分别讨论了衬底材料、热处理温度及氧含量对MA12薄膜性能的影响。分析得出:当氧含量达40%时,无论何种热处理温度、衬底材料下,薄膜均呈绝缘特性。当氧含量较低时,薄膜呈N型半导体特性,且沉积在硅片上的薄膜较玻璃更均匀。同时,任何条件下的薄膜透过率均在89%以上。再次,为了验证F-MA12薄膜于富氧下呈P型半导体特性,本文在100 W、0.6 Pa、100℃、20/30的工艺条件下制备了不同比例的F-MA12薄膜,并进行不同温度（300℃、500℃、700℃、900℃）热处理。实验所用衬底材料为普通玻璃及P、N型（111）单晶硅片,分别讨论了衬底材料、退火温度及掺F比例大小对F-MA12薄膜性能的影响。对比不同温度下、不同比例薄膜的电学性能得出:掺F比例在一定程度上对F-MA12薄膜的掺杂方式有影响。当掺F浓度较小时,掺杂方式为替位掺杂,温度升高,薄膜形成了晶界等内部缺陷,薄膜有结晶趋势,薄膜电阻变小;当掺杂浓度较大（MAF1212比例薄膜）时,掺杂方式为填隙掺杂,温度从常温升至900℃,薄膜均保持非晶态,霍尔系数为正,薄膜为P型半导体。对比不同温度下、MAF1212、MAF1212-N及MAF1212-glass薄膜的载流子浓度得出:衬底类型在一定程度上影响F-MA12薄膜的稳定均匀性,且相反导电类型衬底对薄膜的电学性能有削弱作用。同时,F-MA12薄膜的透过率均在89%左右,薄膜属于高透明材料。以上表明,溅射法及热处理法制备的MA12及F-MA12薄膜,均具有优良的光学特性,且在一定条件下分别体现出绝缘特性及P型半导体特性,这将在透明电子学方面有很大的影响。