吸波材料在军用民用领域有重要的价值和意义。本研究以不同粒径,不同晶型的碳化硅粉体和陶瓷结合剂为初始原料制备了碳化硅陶瓷复合材料,并研究了碳化硅陶瓷复合材料的结构、机械性能、介电性能和吸波性能。碳化硅陶瓷复合材料中,玻璃态的陶瓷结合剂与碳化硅颗粒形成湿润和包裹结构,在扫描电镜下观查不到碳化硅颗粒的尖锐棱角。材料的断裂截面在扫描电镜下显示出非晶的微观结构,证实材料的脆性断裂发生在玻璃态的陶瓷结合剂。复合材料的晶相结构主要是碳化硅,由于高温处理下玻璃态的陶瓷结合剂的析晶作用,复合材料中有SiO₂晶相存在。碳化硅陶瓷复合材料表现出较高的抗弯强度。粒径5μm的β-SiC粉体制备碳化硅陶瓷复合材料,当碳化硅含量为70wt%,材料达到抗弯强度达到71.06MPa。碳化硅陶瓷复合材料在X-band有调制的介电性能。复合材料的介电常数实部较大,总体上表现出随着碳化硅含量升高而升高的规律;相对于实部,复合材料的介电常数虚部数值较小,碳化硅含量对其调制作用不明显。由于复合材料介电常数实部较大,虚部较小的介电特性,材料的介质损耗小于0.2。复合材料对电磁波表现出有限的吸波能力。10μm粒径的β-SiC粉体制备的碳化硅陶瓷复合材料在碳化硅含量为90wt%时有最小的反射率-5.178dB（样品厚度2mm）。碳化硅粒度、晶型和材料烧成温度对碳化硅陶瓷复合材料机械性能、介电性能的影响得到了研究。碳化硅的粒度、晶型对复合材料的机械性能、介电性能以及吸波性能影响无明显规律。当碳化硅粉体为5μm的β-SiC,碳化硅含量为70wt%,840°C烧成的样品抗弯强度明显高于800°C,760°C和720°C烧成的样品。复合材料的烧成温度对材料介电常数实部有明显的调制作用,复合材料的介电常数实部随着烧成温度的降低而升高。碳化硅陶瓷复合材料具有良好的机械性能和介电性能,满足结构功能一体化的要求,是有应用前景的结构型电磁屏蔽材料,在多层吸波材料应用上有较大的潜力。