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磁电层合结构有非常显著的磁电耦合效应，广泛应用于磁电转换器、磁电传感器等。磁电层合结构由压电相和压磁相组成，两相之间通过粘结产生机械耦合，使磁电层合结构具有非常好的多铁性性能，被广泛应用于现代科技。为了获得更大的磁电耦合系数，选择合适的压磁相和压电相成为关键。由于0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(PMN-PT)单晶具有非常大的压电系数(d33>1500pC/N)和介电常数(ε>4500)，对于提高磁电层合结构产生较大的磁电效应具有重要意义。 本文利用压电材料PMN-PT和磁致伸缩材料Terfenol-D制备了两层和三层的磁电层合结构，分析了不同层合结构产生的磁电耦合系数，测试了磁电层合结构在微小磁场下的灵敏度，观察了偏置磁场改变对磁电耦合系数的影响，谐振状态下磁电耦合系数与偏置磁场之间的关系，比较了PTP型磁电结构与TPT型磁电结构磁电耦合系数的差异，实验并对比TPT型磁电结构与TZT型磁电结构的磁电耦合系数的差异。 利用已有磁电俘能器振动理论，对压电相为PZT-5A压磁相为Terfenol-D的三层磁电结构进行了理论分析，通过在压电相的电极两端外接阻抗Z，设计了Terfenol-D/PZT/Terfenol-D三层结构的俘能器装置。实验了2000欧姆和3000欧姆阻抗下的磁电耦合系数与角频率的关系，将3000欧姆的实验数值与理论值进行了对比，测试了100kHZ和200kHZ频率时能量密度与负载阻抗的关系，最后在100kHZ的交变频率下将能量密度与负载阻抗变化关系的理论数值和实验结果进行了对比，并分析了产生能量损耗的原因。为工程中设计合适的电路输出提供依据。