作为介质移相器用的铁电薄膜材料，必须具有介电常数大、非线性强、介质损耗（tgδ）小、漏电流低等特性。本文通过对退火温度、择优取向、组分梯度的研究，对钛酸锶钡（BST）薄膜进行了性能优化。采用射频磁控溅射法，成功制备出锆钛酸钡（BZT）薄膜，并研究了氧氩比和Zr／Ti比对BZT薄膜性能的影响。最后对BST、BZT薄膜进行了可靠性测试。取得了以下研究结果：1．在不同基片上制备出的BST薄膜能承受的最高退火处理温度不同，分别为900℃（Al₂O₃基片）、1100℃（LaAlO₃基片）和1200℃（MgO基片）。基片的晶格常数和热膨胀系数是影响承受温度的主要因素。退火温度越高，BST薄膜的偏压特性越好，优值越高。2．在（110）方向择优的BST薄膜铁电性要强于在（100）方向择优的，BST（110）薄膜具有更大的介电常数和调谐率，更小的tgδ。3．具有组分梯度的BST薄膜具有更低的介质损耗，但调谐率方面不如单层结构。Ba_0．5Sr_0.5TiO₃／Ba_0．6Sr_0．4TiO₃结构性能要优于Ba_0．6Sr_0．4TiO₃／Ba_0.5Sr_0．5TiO₃结构。4．采用射频磁控溅射法，成功制备出BZT多晶薄膜。BZT薄膜结晶良好，平整致密，无针孔，晶粒大小均匀，具有较低的漏电流。薄膜铁电性较弱，偏压电场为400kV／cm时，调谐率为15％，tgδ为0．016。膜厚减半后（偏压电场为800kV／cm）调谐率增至33．5％，tgδ为0．021。5．随着沉积时O₂／Ar比的增大，BZT薄膜取向由（l00）方向逐渐向（111）方向转变。薄膜的晶粒大小、表面粗糙度、介电常数、调谐率和tgδ都随着O₂／Ar比的升高而增大。BZT薄膜的铁电性也得到增强。6．对比BaZr_0．2Ti_0．8O₃薄膜和BaZr_0.1Ti_0．9O₃薄膜，发现减少Zr⁴⁺的含量，BZT薄膜的铁电性、介电常数和调谐率都变大了，尤其是调谐率，增至60．5％（偏压电场为800kV／cm）。7．在-30℃～130℃范围内，BST和BZT薄膜介电常数随温度的升高缓慢增大，并未出现居里点。-50℃～150℃，1MHz下，BST和BZT薄膜具有较好的温度稳定性。同时发现BST和BZT薄膜的偏压特性具有很好的抗疲劳特性。