本论文主要研究在电容放电的激励模式下，半导体桥(SCB)的掺杂浓度、形状、质量、长宽比对发火时间和发火所消耗能量的影响规律，为低发火能量的SCB的设计提供参考数据；采用升降法得出在压有斯蒂芬酸铅的情况下不同质量、不同长宽比的SCB的安全电流；研究加有半导体放电管作为保护元件的SCB脚壳间抗静电能力。研究结果表明：(1)对一定尺寸的SCB掺杂浓度有一个最佳值。(2)SCB两端的“V”字型尖角、桥中间尖角、桥中央圆孔，使得SCB的发火时间和发火所消耗的能量减小。(3)SCB发火时间随着其质量的增加成指数递增的趋势，发火时所消耗的的能量呈线性递增的关系。(4)质量相等，长宽比不等的SCB，发火时间、发火所需的能量与SCB长宽比的增加均呈显出指数递减关系。(5)对SCB选择合适的掺杂浓度和图形、增大长宽比、减小质量，可以降低SCB火工品的发火能量，本实验得出SCB火工品的最低发火能量为0.846mJ(6)通过安全电流实验得出，质量相同、长宽比不同的SCB安全电流随着长宽比的增加而减小。SCB长宽比相同、质量不同时，安全电流随着质量的增大而增大。(7)在SCB脚壳间串联半导体桥放电管，能有效地提高SCB脚壳间的抗静电能力，设计低发火能量、高安全性的半导体桥火工品是可行的。