记忆是生物体神经元的一个重要特性,忆阻器是具有记忆特性的电子元器件。学者已经证明忆阻器是模拟神经元的离子通道和神经网络的天然材料,忆阻神经网络模型是利用忆阻器来强调生物神经系统的记忆效应,相比于一般的神经网络系统,忆阻神经网络更接近于生物体实际的神经网络系统,忆阻神经网络动力学特性更能反映实际生物神经网络特定功能。生物体大脑中存在着混沌动力学行为,且混沌行为与生物体的认知功能、信息识别功能及记忆功能密切相关,因此基于忆阻器的神经网络混沌动力学具有重要的研究意义与价值。在对忆阻神经网络混沌动力学相关文献研究基础上,本文提出了一个新的局部有源忆阻器模型、探讨了局部有源忆阻神经网络动力学特性、研究了忆阻电磁辐射神经网络动力学特性,主要的创新点和研究内容如下:（1）提出了一个新的局部有源忆阻器模型,并利用模拟器件搭建其等效电路。采用提出的局部有源忆阻器构建了一个新的局部有源忆阻神经网络系统,并探究该局部有源忆阻神经网络系统的动力学特性。研究发现系统在局部有源区出现复杂的混沌动力学,在局部无源区呈现稳定的静息行为;系统出现一个新的动力学现象—共存位置对称行为;随着局部有源忆阻器强度的改变,该局部有源忆阻神经网络系统呈现多种动力学交替出现现象。最后硬件等效电路验证了数值仿真的有效性。（2）提出了一个无电磁辐射神经网络模型,利用李氏指数和相图等数值分析方法探究其动力学特性,分析发现系统仅出现单一的周期动力学行为。在此基础上,利用两个不同的忆阻器模型来描述神经元受到的电磁辐射影响,提出了一个新的忆阻电磁辐射神经网络系统,并探究该忆阻电磁辐射经神经网络系统的动力学特性,研究发现随着电磁辐射强度的改变,系统出现丰富的动力学行为,并且在不同的初始条件下系统出现包括隐藏超混沌动力学在内的多稳态现象,其中隐藏超混沌动力学现象之前没在HR神经网络中被发现过。最后硬件电路实验验证了数值仿真的有效性。