层状结构的p型半导体BiCuSeO氧硫族化物由于热导率较低引起了研究者广泛关注。然而BiCuSeO本征电导率较低，成为限制其应用的主要原因。研究发现，通过掺杂的方法可提升BiCuSeO电导率，从而改善其热电性能。本文采用了两步固相反应及放电等离子烧结制备了Mg、Na及S掺杂的BiCuSeO基热电材料，利用XRD、SEM表征了样品的物相结构及微观形貌。利用Ulvac Riko ZEM-2、NetzschLFA427、DSC、PPMS等测试系统测试样品的热电性能。Bi_1-xMg_xCuSeO（0≤x≤0.125）样品的研究表明，掺杂样品均为纯相结构。Mg掺杂之后，材料电导率得到提高，热导率降低，热电优值提升，ZT值在923K时由纯相BiCuSeO的0.45提高到Mg掺杂样品Bi_0.95Mg_0.05CuSeO的0.67。然而，Mg掺杂效率较低导致空穴载流子浓度增加有限，其电导率的增加也相对较低，热电优值的提升也低于Ca、 Sr、 Ba的掺杂(Bi_0.925Ca_0.075CuSeO⁰.90，Bi_0.875Ba_0.125CuSeO¹.1，Bi_0.925Sr_0.075CuSe^O0.76)。Bi_1-xNa_xCuSeO（0≤x≤0.02）样品的研究表明，Na掺杂之后，载流子浓度增加。室温下，当Na的掺杂量为0.02时，载流子浓度最大为1.3×10²⁰ cm^-3，功率因子PF最高，高达8×10^-4μWcm-1K-2。但是Na掺杂样品的功率因子随着温度的升高而降低，与碱土金属掺杂样品的变化趋势正好相反。当Na的掺杂量为0.02时，在绝对温度873K下样品Bi0.98Na0.02CuSeO的ZT值达到最大，约为0.86，比不掺杂样品在相应温度下ZT值提高了60%，BiCuSeO_1-xS_x（0≤x≤0.05）样品的研究表明，S掺杂之后，S原子取代了BiCuSeO晶体结构中的O原子，晶体结构中Bi-O-Bi键的键角发生改变，晶体结构得到改善，载流子的迁移率得到提高，导致电导率增加使功率因子提高。结合其低的热导率值，掺杂之后材料的热电性能得到提高。当S的掺杂量为0.02时，在923K下热电优值达到最大值1.2，因此S掺杂提高BiCuSeO热电性能的有效的方法。