随着便携设备的兴起、全球能源需求量的不断增长,如何提高资源的有效利用率将变得越来越重要。由于SOI-LDMOS功率器件具有速度快、集成度高、功耗小等优点使得SOI-LDMOS器件越来越广泛的用于功率转换开关电路。而如何降低影响SOI-LDMOS器件开关时间的栅漏电荷QGD将是本文的研究重点。本文首先研究了常规槽型SOI-LDMOS器件和延长漏槽型SOI-LDMOS器件的正向导通电阻与反向击穿电压。利用仿真软件Medici对栅漏电荷QGD、导通电阻R。n、击穿电压BV与器件结构参数之间的关系进行仿真。通过仿真得出延长漏槽型SOI-LDMOS器件相较于常规槽型SOI-LDMOS器件击穿电压BV提高了 52.18%;导通电阻Ron降低了 8.8%;栅漏电荷QGD提高了 41.7%,进而对后文栅漏电荷QGD的优化起理论指导作用。最后提出了单场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件和双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件,其主要优点如下所示:1)单场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件较常规槽型SOI-LDMOS器件、延长漏槽型SOI-LDMOS器件的栅漏电荷QGD和优值FOM(Fingure-of-Merit)分别降低了 7.1%、45.9%和 56.8%、42.2%;2)双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件较常规槽型SOI-LDMOS器件、延长漏槽型SOI-LDMOS器件的栅漏电荷QGD和优值FOM分别降低了77.2%、86.72%和85.7%、80.9%。综上所述,本文提出了两种降低栅漏电荷QGD的器件,即单场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件和双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件,不仅完成了对上述器件直流特性的仿真,而且完成了对器件栅漏电荷QGD之间的仿真以及栅漏电荷QGD与器件参数的变化趋势,并验证其特性。