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发光二极管（Light Emitting Diode, LED）凭借其高效低耗、绿色环保、响应时间短等优点，正在成为传统照明产业升级换代的新一代照明光源。LED芯片光提取效率的提高是LED照明普及中需要解决的重要问题。本文从如何提高芯片的光提取效率的层面出发，结合现有的制备技术，制备出高性能的大功率GaN基LED芯片。针对大功率LED芯片中电流扩散不均匀和光电特性不稳定的问题，制备出45mil*45mil尺寸的高性能GaN基LED芯片，测试结果表明，在350mA电流驱动下，芯片的光功率达到374.35mw，随着电流的逐渐增加，电压和光功率都逐渐增大，在测量范围内，光输出功率并没有出现下降，说明制备的45mil*45mil芯片具有稳定的光电特性。在0.2mA的电流驱动下，芯片表面发光均匀，说明电流扩散均匀。针对激光切割过程中激光能量对GaN侧面的影响，通过热酸制程后，得到一种边缘平坦化结构的GaN芯片，结果光输出功率提高了8.65mw。针对传统大功率芯片制程中DBR结构只在小角度或垂直入射情况下才具有较高的反射率，设计制备出一种全方位的DBR结构的金属反射镜芯片，测试结果表明，该结构较传统DBR结构的芯片的光输出功率提高了19.2mw。针对高光提取效率问题，模拟了传统正装GaN基45mil*45mil芯片Mesa侧壁为正梯形状和倒梯形状时，芯片出光效率的变化关系，结果表明当芯片Mesa侧壁为正梯形状，并且倾斜角近似为GaN和空气界面临界角时，芯片的出光效率达到了31.433%，比芯片侧面为垂直状结构的芯片出光效率提高了25.5%，并通过ICP刻蚀出Mesa侧壁具有梯形台状结构的芯片。