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近年来,随着科学技术的不断发展,越来越多的微电子器件和分子器件已经在实验和理论计算中被广泛研究,并且表现出与常规宏观体系不同的电子输运特性。这些年对于纳米结构、分子器件的开发和量子点的研究已经逐渐成为纳米材料研究的新趋势。其中,大量有趣的物理性质,例如:整流行为、负微分电阻和分子开关等现象,已经被广泛的研制并且进入分子器件实验室中进行研发和制造。基于非平衡格林函数方法结合密度泛函理论,研究了B,N,和两者顶点掺杂的三角形石墨烯纳米带的电子输运性质。研究发现,在BN顶点掺杂的情况下可以观察到显著的整流