光致发光（Photoluminescence,PL）光谱是研究半导体材料发光特性的经典手段,具有非破坏、高灵敏等优点,在分析半导体材料能带结构等方面具有相当大的优势,不但能够揭示半导体的本征光学过程,还可以提供有关材料中的缺陷和杂质信息。所在课题组创新研制的基于傅里叶变换红外（Fourier transform infrared,FTIR）光谱仪的宽波段红外调制PL光谱实验系统,具备显著增强的光谱分辨率和信噪比（Signal-to-noise Ratio,SNR）的优点,为半导体材料的光谱获取及准确分析提供有效手段。GaSbBi因其禁带宽度较窄,被认为是2-4微米高性能发光器件的重要材料。与In Ga As/Ga As单量子阱（Single quantum well,SQW）类似,在GaSbBi/GaSbSQW阱内进行δ掺杂,形成近δ电势,将载流子局限在二维掺杂薄层附近,有望进一步延展其发光波长。由于界面结构可能导致的发光波长移动与非均匀展宽,GaSbBi/GaSbSQW的发光效率与δ掺杂面密度的关系还需要进一步探究。目前所报道的稀Bi半导体红外探测器只限于单元探测器,尚未见适用于红外焦平面阵列（Focal Plane Array,FPA）探测器应用报道。因此,揭示δ掺杂对发光效率影响的机制,表征其面内均匀性,可以为GaSbBi基高性能红外发光器件制造和性能优化提供参考。本工作针对阱内δ掺杂GaSbBi/GaSbSQW的红外发光特性问题,基于宽波段红外调制PL光谱实验系统,开展不同阱内δ掺杂面密度的Ga Sb_0.93Bi_0.07/Ga Sb单量子阱及其非掺杂SQW参考样品的激发功率、温度依赖、以及面内均匀性的PL光谱分析。取得的研究结果主要表现在以下三方面:（1）室温条件PL光谱分析Te掺杂GaSbBi/GaSbSQW与未掺杂对比样品结果表明,由于掺杂引入的电子局限在阱中,使其能量降低,PL强度降低,所带来的带尾效应拓展了PL峰的半高全宽。过高掺杂面密度还会引起背景杂质的影响。低温PL光谱测试结果表明,材料可以表现出很强的光谱信号;变温PL光谱比对分析各样品特征峰能量、强度、半高全宽随温度的演化,发现Te掺杂对温度稳定性具有一定程度的提升效果。（2）变激发功率红外PL光谱分析GaSbBi/GaSbSQW和Ga Sb势垒/衬底成分发光强度演化发现,阱内δ掺杂导致界面恶化和阱内晶格质量下降,引发“电子损失”和“光子损失”,使红外辐射效率显著降低,相对下降幅度约为33%-75%。（3）低温条件下空间分辨扫描成像PL光谱分析阱内δ掺杂GaSbBi/GaSbSQW发现,掺杂在提高样品的稳定性的同时,也会引入局部缺陷。相关研究进展可为对该体系材料的制备及工艺优化提供参考,为稀Bi红外发光器件的性能优化提供帮助。