随着生活水平的提高,人们对于手机数码等消费类产品的需求日益增多,其中小型化和大容量成为人们追求的目标,这直接导致存储密度的提升。然而传统的Flash单位面积的存储容量即将达到极限,因此,对新型非挥发性存储器技术的研究日益增多。阻变存储器因为具有集成密度高、结构简单、抗疲劳特性好、数据时间保持长、低功耗、与CMOS工艺兼容等优点被业界认为是下一代非挥发性存储器的有利竞争者。但是在阻变存储器真正商用化之前,还有一些问题需要解决,比如电铸电压过高、擦写时间不稳定等。如何能够提高其电学性能和稳定性成为亟需解决的问题。本文主要工作是通过测试制备的Au/TiO₂/Au RRAM器件,分析阻变存储单元操作电压的影响因素,最后,建立一个读写电路,避免上述影响因素对阻变存储器在使用中造成的干扰。本文首先对矩形脉冲测试方法进行了优化,使用FPGA编程的方式对对阻变存储单元进行测试,提高了测试效率;其次,在测试结果的分析上,分别研究了材料的不同薄膜厚度和不同温度对操作电压的影响,发现薄膜厚度的不同主要影响操作电压的大小,温度的不同主要影响操作电压的时间。最后,基于上述变化规律,建立一个读写电路,避免不同温度和薄膜厚度对阻变存储单元造成的不良影响,并通过使用分立器件搭建阻变存储单元的方式对其进行了仿真和验证。