论文部分内容阅读
氧化锌(ZnO)是一种典型的Ⅱ-VI族宽带隙化合物半导体材料,具有六方纤锌矿结构,它的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。氧化锌晶体在c轴垂直面上具有对称的电学性质和弹性,而在c轴方向择优取向的多晶薄膜具有单晶体似的压电性和光电性质。此外,ZnO在晶格常数和热膨胀系数上与GaN最为接近, ZnO在a轴向与GaN的失配度是1.9% ,在c轴向与GaN的失配度仅为0.4%,因此,高质量的ZnO薄膜能作为GaN薄膜的缓冲层。这些突出的物理特性和平整均匀的表面形貌,使得ZnO薄膜可以广泛应用于各