1.我们首次利用基于DPVBi的顶发射蓝光发光器件泵浦黄色磷光材料DPPO制备了顶发射白光有机发光器件,并用进行了理论拟合。实验与理论结果一致。此种方法制作的白光器件具有诸多优点。首先,其结构简单,蓝光器件和DPPO厚度的优化可以分别进行设计。其次,器件的色度理论上不随时间的推移而改变,能够保持良好的发光颜色。所得白光器件的效率为1.1cd/A,是相应蓝光器件效率的两倍。此种方法开拓了一个新的顶发射白光有机发光器件的制作的方向,如果能够制备出合适的高效的光致磷光下转换材料,可以制备出具有优异性能的器件,并可催进OLED的商业化进程。2.我们首次利用一维光子晶体作为有机发光器件的阴极,制作了顶发射白光有机发光器件。阴极结构为:Ag(20 nm)/Alq(x nm)/Ag(20 nm)/Alq(x nm).通过调节光子晶体的结构参数,即调节x的数值,得到了具有两个发射峰的白光器件,其效率和相应的底发射有机发光器件具有可比性,分别为9.51 cd/A(两峰器件)9.23 cd/A(底发射器件)。另外,由此种方法制作的顶发射白光有机发光器件可以简化器件的封装过程。由于柔性的顶发射器件需要使用薄膜封装技术,这就要求在器件之上生长缓冲层以降低在封装过程中对器件性能的影响。而本文中制作的顶发射白光发光器件的阴极为Ag(20 nm)/Alq(x nm)/Ag(20 nm)/Alq(x nm),此种结构中只有第一层银作为有效阴极,其它层主要用来调节器件的光学性能,而其同时也可以作为缓冲层,我们通过理论计算模拟证实,此种方式制作的器件在利用薄膜封装之后其发射光谱及色坐标变化并不明显。3.我们首次利用一维光子晶体作为有机发光器件的阳极,制作了顶发射白光有机发光器件。阳极结构为:Ag(150 nm)/Alq(x nm)/Ag(20 nm)/Alq(y nm)/Ag(20 nm).通过调节光子晶体的结构参数,即调节x、y的数值及光子晶体的周期数,得到了具有两个(x=75,y=45)和三个(x=95,y=85)发射峰的白光器件(实际上,我们可以得到任意多个发射峰的器件),其效率和相应的底发射有机发光器件具有可比性,分别为9.9 cd/A(两峰器件)、9.4 cd/A(三峰器件)和11.1 cd/A(底发射器件)。另外,由此种方法制作的顶发射白光有机发光器件具有较高的像素对比度,分别为相应顶发射器件的1.86倍(两峰器件)和2.75(三峰器件)倍。4. .为了与OTFT、CMOS等驱动电路相兼容,我们对一维金属介质光子晶体的研究,发现对于两峰的顶发射白光有机发光器件来说,在阳极结构Ag(150 nm)/Alq(75 nm)/Ag(20 nm)/Alq(45 nm)/Ag(20 nm)中,150 nm厚的金属材料对器件性能有很大的影响,我们利用不同的金属Ag、Au、Al分别制备了顶发射白光发光器件,利用传输矩阵方法计算了此种阳极结构的等效折射率,讨论了器件共振发射波长与金属材料的关系。