【摘 要】
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随着集成电路特征尺寸趋向0.18μm,互连电阻-电容(RC)延迟、功耗、串扰变得更加难以容忍.为了解决这些问题,用低介电常数材料做互连介质是显得非常紧迫.在此背景之下,作者研
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随着集成电路特征尺寸趋向0.18μm,互连电阻-电容(RC)延迟、功耗、串扰变得更加难以容忍.为了解决这些问题,用低介电常数材料做互连介质是显得非常紧迫.在此背景之下,作者研究了低介电常数材料薄膜的制备、结构和性能及其与互连金属的相互作用,获得了许多新的突破.第一、采用旋涂的方法和利用相分离原理制备了超低介电常数多孔AF薄膜,在1MHz下该薄膜的介电常数接近1.57,在1MV/cm的电扬强度下其漏电流为1×10<-5>A/cm<2>.第二、采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法,首先以TEOS/C<,4>F<,8>/Ar为原料气淀积了a-SiCOF复合材料薄膜,该薄膜的介电常数随着C<,4>F<,8>流量的增大而降低.研究了反应气体中氩气的存在对薄膜结构和性能的影响.最后,该文又以TEOS/C<,4>F<,8>/O<,2>/Ar为原料气淀积了高掺碳的a-SiCOF薄膜,当C<,4>F<,8>流量为30sccm时淀积到的薄膜中碳含量高达25﹪,超过了硅的含量.第三、考虑到将来低介电常数材料和Cu一起集成到ULSI中,作者初步研究了磁控溅射铜和低介电常数a-SiCOF薄膜之间的相互作用.
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