二维材料由于其超薄结构带来的独特物理和化学性质受到了研究者广泛关注,已经在光学、电子学、拓扑物理学等诸多领域表现出广阔的应用前景。相较于二维二元体系,二维三元体系通过引入第三种元素而提供了一个新的调节物理性质的自由度。新元素的引入改变材料的晶体结构和局部电子结构,进而改变材料晶体结构的对称性使其具有低对称各向异性等,同时局部电子内结构的改变导致三元体系较宽的吸收边。目前二维三元体系的研究还处于起步阶段,由于其可控制备性差,其在电子、光电子领域的研究受到严重阻碍。PbSnS₂表现出层状材料、p型半导体、各向异性等性质,在光电子器件领域极具潜力,但是可控制备是限制其应用的主要因素。基于上述瓶颈,本文针对于新型二维三元半导体PbSnS₂的可控制备及其光电性能开展相关研究,主要研究内容与成果如下:（1）本文选用Pb₃O₄、SnO、S粉作为前驱体,云母作为收集产物的衬底,盐、分子筛辅助,化学气相法合成了高质量二维三元PbSnS₂纳米片;结合理论计算发现其具有较强的各向异性电子能带结构;利用角分辨偏振拉曼证明二维PbSnS₂纳米片表现出较强的面内各向异性。（2）对PbSnS₂进行了一系列光电性能测试,器件对532 nm激光有很好的光响应;角度分辨电子和光电测试显示器件具有强面内各向异性光电性能,Zigzag方向相较于Armchair方向表现出更高的响应度(R_Zigzag=21.9 AW^-1,R_Armchair=17.5 AW^-1),更高的外量子效率,Armchair与Zigzag两个方向上的迁移率比值达到1.78(μ_Armchair/μ_Zigzag≈1.78);变温电输运的测试表明材料与电极间存在63.7 meV的弱肖特基势垒。