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针对冶金硅纯度较低的问题,采用短时间浓磷扩散吸杂工艺来提高原始冶金硅片的少子寿命。研究不同时间、温度、磷源流量吸杂对冶金硅片少子寿命的影响,并筛选其最佳工艺条件。用WT-1200少子寿命测试仪、RTS-4四探针测试仪、BACCINI电池分类检测系统、7-S.CSpec太阳电池光谱性能测试仪对冶金硅电池的少子寿命、方块电阻、电阻率、电性能和量子效率等进行测试。实验结果给出:去除硅片表面损伤后,经950℃、磷源流量300ml/min和30min的短时间磷吸杂,使原始冶金硅裸片的少子寿命从1.1μ