随着科学技术发展,纳米技术已是当下科学研究的一大热点,纳米材料的特殊结构决定其具有不同于常规材料的特殊性能,因而纳米材料在航空航天、微电子系统、热电转换系统等工程领域中的应用引起了科研工作者的浓厚兴趣。研究微纳米尺度下的接触热阻有助于解决微电子器件的散热难题,进一步降低微器件的尺寸,提高微器件的可靠性,对微电子器件散热和微纳米技术研究领域的发展有着极其重要的意义。本文测量了金属微米线之间纳米接触的热电性质,通过调整lorentz力实现对十字交叉金属微米线节点的接触与分离。搭建了测量两根微米线或纳米线接触电阻和接触热阻的实验系统,系统主要包括温度控制系统、抽真空系统、前置放大电路、磁场系统以及数据采集与保存系统。设计并制作了适用于两根微米线交叉接触的紫铜基座装置,并详细介绍了样品制作与清洗过程。为了有效测量微弱电流信号,本次实验专门设计并制作了用于放大微弱电流信号的前置放大电路,实现了对nA级别电流的有效测量。实验借助数据采集卡与labview软件,可完成对数据的采集与保存,实现了真空环境下对两根交叉结构微米线接触电阻和接触热阻的同时测量。实验分别测量了Pt-Pt、Au-Au在常温(300K)和低温(100K)两种温度环境下的接触电阻与接触热阻,通过有效的表面去污方法,主要包括有机溶剂超声清洗和欧姆电流加热方法,从而有效地避免了灰尘、氧化层等对表面接触的影响。后期的AFM与SEM图均显示微米线表面具有很好的清洁程度。实验结果表明,经有效处理过的微米线,其接触电阻和接触热阻的比值很好地满足Wiedemann-Franz定律。此外,实验还测量了接触电阻随小范围温度变化的阻温系数,随着接触电阻的不断增大,阻温系数逐渐降低至较小值并保持稳定,表明节点处电子由扩散输运向弹道输运转换。为了更深入的研究以掌握原子/分子接触处的相关性质,实验还测量了Ag纳米线接触的电学性质。我们普遍认为的是,在扫描电子显微镜内的原位成像和焊接处理过程中,低能电子束照射对金属纳米结构的物理性质的影响可忽略不计。实验通过使用电子束诱导沉积纳米光刻法接触Ag纳米线端部之后,结果表明纳米线的电导率显著降低。在透射电子显微镜下观察到纳米线内部晶体缺陷迁移,揭示了电子束诱导的内应力是造成电导率降低的可能原因。因此,电导率为纳米内部结构变化提供了有力的证据。