由于集成电路行业的迅猛发展,离子注入由于其工艺干净,控制非常精准,得到了广泛的应用。随着制造工艺越来越先进,离子注入逐渐在整个工艺当中起到相当重要的作用,它不再是某种离子在某个深度注入了一定剂量这样简单的一句话概括的了,而是还需要考虑此离子是以何种角度,怎样的电流束注入进去,会不会有原子量污染或者能量污染。本论文主要研究的是离子注入时能量污染会不会在90nm工艺中起到非常关键的影响,工艺从微米到纳米,由于线宽的越来越小,多晶硅越来越薄,能量污染将对工艺的电性影响越来越大。通过不同的能量加减速实验,我们可以看到离子注入在晶圆片中深度与浓度分布的变化,并通过实际实验,并得到对于90nm工艺电性的影响结果。这篇论文主要结合90nm工艺,通过实际实验并分析离子注入能量污染对其影响的大小,来决定整个离子注入工艺的参数设定。随着工艺越来越先进,在65nm,45nm及其以下工艺,离子注入将越来越重要,因此选择适当的离子注入参数将会优化整个工艺过程。