光电探测器作为光机电系统的一个重要组成部分,其主要功能是将非电量信号转化为电量信号输入系统中。其中,由于可见光波段光电探测器具备成熟的制备工艺、低廉的制造成本的优点,在交通运输、民用生活等领域都得到了广泛的应用。钙钛矿材料由于具有优秀的弱光响应特性,吸引了研究人员的极大关注。然而由于钙钛矿薄膜不能利用传统紫外曝光光刻工艺进行器件制备,严重制约了其在光电探测、太阳能电池等领域的应用。本论文中,我们利用石墨烯辅助定位生长,实现了基于FA_0.85Cs_0.15PbI₃钙钛矿的光电探测器阵列制备。具体研究内容如下:1.利用疏水性的石墨烯薄膜,实现FA_0.85Cs_0.15PbI₃钙钛矿的图案化生长。由于SiO₂/Si衬底经过氧等离子处理后具有良好的亲水性而石墨烯薄膜呈现良好的疏水性,图案化石墨烯后,旋涂钙钛矿前驱体溶液,其分别在亲水/疏水表面表现出润湿/脱湿行为,退火即可实现钙钛矿的图案化生长。2.预先在SiO₂/Si衬底上沉积金电极对,并利用石墨烯辅助定位生长,实现了基于钙钛矿薄膜的光电探测器制备。电学测试表明,该器件在可见光范围内都具有良好的光响应,并对650 nm左右的入射光展现出最大的光响应,其响应度和探测率分别为4.8 AW^-1和4.2×10¹² Jones。与其他钙钛矿光电探测器相比,该光电探测器表现出非常快的响应速度（τ_r/τ_f=13.7/14.9μs）。3.图案化生长的6×6钙钛矿探测器阵列,所有像素点具有良好的均一性和空间分辨率,成功实现了白光、蓝光和红光的光电成像。石墨烯辅助定位生长钙钛矿薄膜阵列,为其在图像传感领域的应用提供了一种简便的、有效的途径。