碳化硅（SiC）以其宽禁带、高临界场强、高热导率、高临界位移能、高载流子饱和漂移速率特性等优异的物理和电学性能成为继Si、Ge、GaAs之后的新一代微电子器件和电路的半导体材料,而以SiC为材料制作的双极器件也逐渐得到重视。基于4H-SiC材料的优越特性和NPN双极晶体管的基本结构,本文提出了一种新型隧道双极晶体管（TEBT）,将NPN双极晶体管中的发射结用MIS结构代替,并对其基本特性进行模拟和分析:首先对发射结金属-氧化层-半导体结构的载流子运输机理进行了分析。在软件中建立相应模型,进行正向及反向特性的模拟研究,为研究隧道双极晶体管（TEBT）奠定了基础。其次,在ISE TCAD软件中建立合适的器件结构和物理模型,通过对隧道双极晶体管进行直流特性的模拟,发现器件具有良好的直流特性,共发射极电流增益可达到45。在此基础上,还研究了影响器件直流增益的一些因素:基区厚度和基区摻杂均是影响直流增益的重要因素，随着基区厚度、基区掺杂的增大，直流增益随之下降,但对于实际器件,在减小基区厚度和掺杂的同时还会带来器件击穿电压降低,基区电阻增大等负面效应,所以在优化整个器件结构参数时,要根据所需折中考虑;最后介绍了器件电流增益随时间的退化现象,用简单的理论解释了堆垛缺陷对电流输运的影响。利用二端口网络分析和参数模型,本文还对TEBT交流小信号特性进行了模拟,提取了器件交流特性参数。发现该结构的器件其特征频率f_T和最高振荡频率f_max相比普通器件均有很大提高。通过模拟发现该结构器件优越的交流特性。在建立器件模型、基本特性仿真等方面的工作对4H-SiC TEBT的研究提供了一定理论依据,为进一步的实验奠定了基础。