碲化铋是V-VI族元素化合物半导体,因为其良好的热电效应而受到广泛关注,更因其三维拓扑绝缘体结构而引发了新一轮的研究热潮。由于三维拓扑绝缘体的表面态中电子自旋-轨道耦合,这一特性使拓扑绝缘体有望成为制备室温下低能耗自旋电子器件的绝佳材料。低维纳米结构的拓扑绝缘体由于具有更高的表体比,表面态处于主导地位,从而拥有更好的表面与界面效应。目前,由于难以制备高质量的碲化铋一维纳米结构而限制了碲化铋在实验领域的研究进展。为此,本文就金催化化学气相沉积法制备碲化铋纳米线展开研究,通过调控诸多宏观实验条件摸索出了化学气相沉积法制备碲化铋纳米线的最佳实验条件,并讨论了金纳米颗粒及各宏观实验条件对碲化铋纳米线生长的影响。主要研究结果如下:1、利用热蒸发镀膜仪在<100>硅片表面镀上3 nm厚的金膜,以此为基底,将高纯度的碲化铋粉末作为蒸发源,以氩气作为载气进行化学气相沉积。在420℃的生长温度下,通以60 SCCM的Ar作为载气,沉积生长4.5 h,成功制备出纯度高,结晶度好,严格满足化学计量比的碲化铋纳米线。2、讨论并分析了金纳米颗粒以及载气流量、反应温度和反应时间等宏观实验条件对碲化铋纳米线生长的影响。主要结论如下:(1)在没有金纳米颗粒催化的条件下所制备出的纳米结构均为Te的晶体,而在有金纳米颗粒催化的条件下所制备出的纳米结构则为碲化铋的晶体;(2)载气流量主要影响碲化铋纳米线的最佳沉积区;(3)反应温度主要通过影响纳米线的生长速度从而决定了纳米线的生长取向性;(4)反应时间主要影响了纳米线的纵向的生长尺寸。在碲化铋纳米线的可控制备基础上,我们希望能够进一步构筑出碲化铋纳米器件并测试其电输运性能,并在低温测试条件下研究碲化铋纳米线表面态的相关特性。