【摘 要】
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作者首次在国内开展了13nm Mo/Si多层膜残余应力的研究工作.首先从材料在极紫外、软X射线波段的光学特性出发,讨论了极紫外、软X射线在理想和非理想多层膜系中的反射特性;研
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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作者首次在国内开展了13nm Mo/Si多层膜残余应力的研究工作.首先从材料在极紫外、软X射线波段的光学特性出发,讨论了极紫外、软X射线在理想和非理想多层膜系中的反射特性;研究了影响极紫外、软X射线多层膜反射率的表面粗糙度的空间频率范围;重点探讨了多层膜残余应力的典型模型、应力形成机制以及薄膜的形成过程.研究了Mo、Si单层膜的应力状态;采用磁控溅射法在超光滑Si基底上制备了Mo、Si单层膜,利用ZYGO干涉仪对其进行应力检测,检测结果表明:在13nm Mo/Si多层膜中,Mo单层膜表现为张应力,Si单层膜表现为压应力.重点研究了多层膜的残余应力控制技术;通过对单层膜以及多层膜的应力状态分析,得出应力主要是由膜层之间的贯穿扩散引起的.实验发现,通过改变多层膜两种材料的比率Г、改变Ar气工作气压等方法,可以在一定程度上补偿因贯穿扩散产生的压应力,而采用同时改变比率Г和Ar气工作气压可以控制多层膜中残余应力.利用上述方法制备出了具有13Mpa张应力的Mo/Si多层膜.本文得到了国家自然科学基金重点资助项目、863-804高科技项目和中国科学院创新基金资助项目资助.
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