在今数字化、信息化、智能化已经广泛普及,存储器也已经非常广泛地应用于我们生产生活的各方各面,并且随着时代和技术的不断向前发展,存储器对我们的作用越来越重要,我们对存储器的要求也越来越高。这使得我们要追求小型化、存储密度更高、读写更快、寿命更长和功耗更低的存储器。为了获得更加优异特性的新型存储器,许多研究者们都在探寻常规非易失存储器的替代品。在研究中发现,许多过渡金属氧化物,钙钛矿氧化物和有机物等都存在电阻开关的特性,它们都具有应用于非易失性阻变存储器的潜能。电阻开关的内涵非常丰富,机理也各有差异,并且许多机制到目前为止还没有完全研究清楚,甚至存在很多争议。BaTiO₃是一种重要的钙钛矿氧化物半导体材料,显现出很多吸引人的特性,越来越多的人关注它。BaTi O₃具有较高的介电常数、良好的铁电、压电性能以及电阻开关特性,主要用于制造高容多层电容器、多层基片、各种传感器、半导体材料和非易失性阻变存储器。本文主要包括以下内容:采用磁控溅射镀膜技术制备了Cu/BaTiO₃/Ag三明治结构的阻变存储器件,通过X射线衍射仪（XRD）分析薄膜的物相。扫描电子显微镜（SEM）测量薄膜的横截面的厚度。进一步应用Keithley 2400或者电化学分析仪对其进行阻变性能测试。器件表现出优异的开关性能,包括高的开关比、很强的抗疲劳性和很长的保持记忆特性。根据测得器件的电学性质I-V曲线,可知器件的电阻开关是双极性的,并且应用电子的俘获和释放模型来解释所得到的双极性电阻开关的性质。最后,我们利用磁控溅射的方法制备了ZnO/BaTiO₃/ZnO多层膜结构。器件观察到电阻开关特性,并且光可以对电阻开关进行调控。同时,在室温下光调制的电阻开关也表现出很高的重复性能。