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碳化硅纳米线具有高热导率、高化学稳定性、超塑性、耐高温、耐腐蚀和独特光学、电学性能,在高强复合材料、纳米电子器件、光子器件、光敏传感器等领域具有广阔的应用前景。碳化硅纳米线的可控及宏量制备对其实际应用的开发具有重要意义。本课题通过对碳化硅纳米线的生长热力学进行分析,讨论碳化硅纳米线生长机理,并采用碳热还原法制备碳化硅纳米线,主要得到如下结论:（1）Si-C-O体系碳化硅纳米线生长反应进行热力学计算与分析,及其生长机理讨论。SiC-O反应体系中,SiO（g）主要由SiO2（s）与C（s）、Si（s）反应来生成,CO（g）主要由CO2（s）与C（s）反应、SiO（g）与C（s）反应生成。SiC（s）晶核最可能由SiO（g）与C（s）反应、Si（s）与C（s）反应生成。碳化硅纳米线的生长最可能由SiO（g）与CO（g）反应实现。（2）Si-C-O-H体系碳化硅纳米线生长反应进行热力学计算与分析,及其生长机理。文中讨论的Si-C-O-H体系与Si-C-O体系最大区别在于Si-C-O-H体系中有机原料裂解形成大量C（s）（Si（s））颗粒。聚二甲基硅氧烷与金属硅粉体系中Si C（s）晶核最可能由Si（s）与C（s）反应生成,无水乙醇与金属硅粉体系中Si C（s）晶核最可能由SiO（g）与C（s）反应生成。（3）封闭反应体系中碳化硅纳米线的制备。以聚二甲基硅氧烷为液态硅源/碳源,金属硅粉为固态硅源组成Si-C-O-H反应体系,成功制备出表面光滑、直径均匀的3C-SiC纳米线,纳米线直径约为30 nm,长度可达几厘米并具有较高的结晶度,同时在碳化硅纳米线表面含有厚度约为2 nm的SiO2包覆层。（4）敞口反应体系中碳化硅纳米线的制备。分别以聚二甲基硅氧烷和乙醇为液态硅源/碳源,金属硅粉为固态硅源组成Si-C-O-H反应体系,成功制备出6H-SiC纳米线,纳米线直径为几十到几百纳米不等,长度为几百微米。通过在乙醇与金属硅粉体系中引入0.05%质量分数的二茂铁作为催化剂,调整液态原料注射速度为1 mL/min,载气、保护气注射速度为200 mL/min,成功制备出高结晶度的3C-SiC纳米线,纳米线直径约为40 nm,长度为几毫米,同时在管式炉尾端可直接吹出长至30 cm的碳纳米管纤维。本课题针对Si-C-O反应体系和Si-C-O-H反应体系对碳化硅纳米线生长热力学进行分析,提出碳化硅纳米线气固反应生长机理,可为实现碳化硅纳米线的可控制备提供一定的理论指导。