随着半导体技术日益发展,为解决芯片的散热问题并保护电器元件正常运行,寻求更加合适的电子封装材料变得更加重要。因为SiC陶瓷具有高强度、高导热、低热膨胀系数等良好性能,所以SiC作为增强相与金属形成的金属基电子封装材料具有广阔的应用前景。Cu的热导率可达400W/（m·K）,但是其热膨胀系数为17×10^-6K^-1,与芯片不匹配,为此通常加入SiC来降低复合材料的热膨胀系数,以满足性能要求。本实验通过有氧烧结法制备多孔SiC陶瓷,采用无压浸渗工艺制备高体积分数SiC增强Cu基复合材料。SiC与Cu两者之间的润湿角大于140°,采用无压浸渗法的前提为改善SiC与Cu之间的润湿性。本研究采用溶胶-凝胶法与氢气还原相结合的方法制备出W涂层,以对多孔SiC陶瓷表面进行改性。研究SiC颗粒尺寸和W涂层分布状况,及其对复合材料抗弯强度、导热率、导电性、热膨胀系数等性能的影响。研究结果如下:（1）用SiC粉作为原料,酚醛树脂作为粘结剂,通过干压成型的方法制备出SiC坯体,在1350℃下进行有氧烧结,可获得多孔SiC陶瓷。颗粒尺寸为10μm的多孔SiC陶瓷的抗弯强度约为30MPa,气孔率约为40%。（2）利用溶胶-凝胶法制备W涂层,通过改变加热时间来控制偏钨酸铵溶胶的固含量,分别制备出20%、30%、40%、50%固含量的溶胶。将多孔SiC浸入溶胶,随后在80℃充分干燥后在600℃下煅烧3h,再采用氢气还原的方法在500℃和800℃下分别还原3h,制备出颗粒尺寸约为1μm的W涂层。（3）颗粒尺寸为10μm、50μm、150μm的多孔SiC陶瓷,使用固含量为50%的溶胶制备金属W涂层,采用无压浸渗法制备出的高体积分数SiC增强Cu基复合材料,其热导率从35.4W/（m·K）增加到45.9W/（m·K）,其抗弯强度从200MPa下降到30MPa。复合材料的热导率随SiC颗粒尺寸的增加而增加,抗弯强度反而随之减小。（4）颗粒尺寸为50μm的多孔SiC陶瓷,分别使用20%、30%、40%、50%固含量的溶胶制备涂层,得到增重分别为4.0wt.%、7.0wt.%、11.0wt.%、15.0wt.%的W涂层。无压浸渗后制备出高体积分数SiC增强Cu基复合材料。复合材料的导电性能和抗弯强度随着溶胶固含量的增加而降低,电导率从2.8×10⁶S/m下降到1.3×10⁶S/m,抗弯强度由87MPa降低到65MPa,复合材料的热膨胀系数由10.36×10^-6K^-1逐渐增加到11.01×10^-6K^-1。